南昌国家高新技术产业开发区

4月12日,宁夏银和半导体科技有限公司,总花费3个亿,一期项目花费15亿元的年产360万片8身高半导体级单晶硅片及年产120万片12身高半导体级单晶硅片项目使开始奠基仪式,在银川经济技术开发区西部进行。施工工程学的三阶段,在夸大地硅结果完成的填补国内空白。

  据该(柴纳)团体校长何贤涵,银和半导体大硅片项得分使开始重建平版印刷了国内结果半导体集成电路领域、汽车、电脑、消耗电子、通信、产业、麦克匪特斯氏疗法、内阁和国防等领域对8身高和12身高半导体级单晶硅片不得不,为了确保安心的和硅集成电路产业供给国内市场;增加柴纳的出口信任高素养的半导体硅WAF,一个人不变的高素养的半导体凿的供给,非常降价,增大领域竟争能力,完整适合我国集成电路领域的模压制品规定。和高素养的半导体硅凿领域化开展,使开始功能具有国际先进水平的8身高和12身高晶圆我、开创研究与开发低级的,必然对我国硅基点操纵技术的增大起到有生气的的功能,同时,要放慢开展具有十分重要的意思。

  据悉,该项得分主要内容和按大小排列,10000新间隙2800平方米住房,4 10000kva变压器新重建,高电压配电箱51,空气压缩零碎1套,3 sets of circulating water system,1台中油发电机,4台冷却塔。大众工程和辅佐知识包含水电气安定支撑物、工厂空调知识及透风、低室工程安定、布置照明零碎工程、环氧斜坡上房屋间的街巷工程、低配室、冷却塔、采暖知识厂、分区和另外小的土木工程知识。项目估计将在2017年12月完成的。

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